発光装置及びその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004328446
Publication number (International publication number)：2005167229
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】有機化合物又は無機化合物を含む層からなる発光素子を、薄膜トランジスタ(TFT)で駆動させる場合、画素領域に設けられるスイッチング用TFTのON電流のバラツキを抑えるため、駆動用TFTを備えた、少なくとも2トランジスタ型の構造が必要となるため、大型基板へ移行するにつれ、半導体素子の構造及び工程の簡略化は喫緊の課題となっている。【解決手段】本発明は、ソース領域及びドレイン領域を形成した後に、チャネル領域となる部分をチャネル保護膜として機能する絶縁膜で覆い、島状半導体膜を形成しているため、レジストマスクを設ける必要がなく、メタルマスクのみで半導体素子を作製することができるため、工程を簡略化することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

発光装置の画素毎に少なくとも二つの半導体素子を含み、前記少なくとも二つの半導体素子は、基板上に形成されたチタン又は酸化チタンを含む層と、前記層上に形成されたゲート電極層と、前記ゲート電極層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に形成された絶縁膜と、を有し、一の半導体素子のゲート電極層は、導電体を介して、他の半導体素子のソース電極又はドレイン電極と接続されていることを特徴とする発光装置。

IPC (6)：

H01L21/336 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (7)：

H01L29/78 627C , H01L21/288 Z , H05B33/14 A , H01L29/78 612D , H01L29/78 619A , H01L21/90 Q , H01L21/88 B

F-Term (181)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 3K007GA00 , 4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD21 , 4M104DD22 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD78 , 4M104EE06 , 4M104EE18 , 4M104FF16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH08 , 4M104HH13 , 5F033GG04 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH06 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH38 , 5F033JJ03 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ16 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ22 , 5F033JJ33 , 5F033JJ38 , 5F033KK03 , 5F033KK04 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK16 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK33 , 5F033KK38 , 5F033MM05 , 5F033NN16 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ68 , 5F033QQ73 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX13 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK35 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN13 , 5F110NN14 , 5F110NN15 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ02 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-324120 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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