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J-GLOBAL ID：200903088751615442

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 島田 直弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992260100
Publication number (International publication number)：1994112582
Application date： Sep. 29, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】光ディスク、レーザビームプリンタなどに使用される半導体レーザ装置のビーム広がりのアスペクト比をほぼ1にし、高出力動作を可能とし、サージ耐量も大きくする。【構成】半導体基板上に形成された2つの異なる導電型からなる2つのクラッド層(2、4)およびその間に挟まれた活性層3を有するダブルヘテロ構造を持ち、一方のクラッド層に作られたストライプ状のリッジ部6を持つ半導体レーザ装置において、共振器中央部のリッジ部(通電領域)6aで発振した光からレーザ光出射端面近傍の三角形のリッジ部(導波路)6bで基本モードのみを選択し、共振器外部に取り出すことを特徴とすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された第1導電型の半導体層からなる第1のクラッド層と、この第1のクラッド層の上層に形成された第1導電型とは逆の第2導電型の半導体層からなる第2のクラッド層と、上記異なる導電型からなる2つのクラッド層の間に挟まれて形成され、上記2つのクラッド層よりバンドギャップが小さく屈折率が大きい半導体層からなる活性層と、この活性層の一部に電流を流すための通電手段と、発振した光に対する導波路と、前記2つのクラッド層および活性層に直交する一対のミラー面を持つ半導体レーザ装置において、前記通電手段は、前記第2のクラッド層に形成されたストライプ状のリッジ部を有し、このリッジ部は発振光の基本横モードと共に高次の横モードも許容される幅を有し、このリッジ部の側面および外側の部分は前記活性層よりバンドギャップが小さい第1導電型の半導体層により覆われており、前記導波路は、少なくとも一方のミラー面近傍でストライプ状のリッジ部が狭められており、その幅は基本横モードのみを選択するように前記第2のクラッド層の厚さより狭く設定されており、その断面形状は三角形であり、その側面および外側の部分は前記活性層よりバンドギャップが小さい第1導電型の半導体層により覆われていることを特徴とする半導体レーザ装置。