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J-GLOBAL ID：200903088754662824
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997362203
Publication number (International publication number)：1999177185
Application date： Dec. 11, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】半導体レーザのキャビティの反りを小さくして端面の平行度を向上させ、発振しきい電流密度を低下させ発光効率を向上させること。【解決手段】サファイア基板1のa面上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る各層2〜9を形成した半導体レーザ100において、キャビティRの長さ方向をサファイア基板のc軸に垂直な方向(m軸)とした。サファイア基板1のa面上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させると、その半導体はその半導体のc軸に沿って成長する。この時、基板は反るが、基板面の反りはm軸方向が最も小さい。よって、a面上において、このm軸方向に光軸が向くようにキャビティRを形成すれば、両端面Sの平行度が高くなる。
Claim (excerpt)：
サファイア基板のa面上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る各層を形成した半導体レーザにおいて、キャビティの長さ方向をサファイア結晶のc軸に垂直な方向としたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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