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J-GLOBAL ID：200903088761088068
シリコン薄膜の成膜方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991096648
Publication number (International publication number)：1993315251
Application date： Apr. 26, 1991
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板等から剥離し難くしかも膜中に欠陥が入り難いシリコン薄膜の成膜方法を提供すること。【構成】 予め洗浄されたガラス基板が配置された真空チャンバ内を排気して高真空にしかつこの真空チャンバ内へSiF4 のハロゲン化珪素ガスを導入すると共に高周波にてこのガスをプラズマ化させた後このハロゲン化珪素ガスによりガラス基板表面を真空条件下でエッチング処理した。この処理により基板に残留する不純物を完全に除去できかつ表面に均質で微細な凹凸を形成できる。次にこのガラス基板面にプラズマCVD法により多結晶シリコン薄膜を成膜した。そして上記エッチング処理の作用により成膜された多結晶シリコン薄膜とガラス基板との間には不純物が介在せずしかも接触面積も増えるため密着性の向上が図れかつ膜中に欠陥が生じ難く膜質改善も図れる。
Claim (excerpt)：
基板上へ若しくはこの基板に設けられた絶縁膜上へシリコン薄膜を成膜する方法において、シリコン薄膜を成膜する前に、ハロゲンガス、ハロゲン化珪素ガス又はハロゲン化シランガスから選択される少なくとも一種の励起されたガスにより真空条件下において上記基板表面若しくは絶縁膜表面をエッチング処理することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の成膜方法。
Patent cited by the Patent：
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