Pat

J-GLOBAL ID：200903088764924045

シリコン基板に分離領域を形成する方法および分離領域の構造

Inventor： ジョン・プレストン・ベネディクト ,  デヴィット・マーク・ドビヅィンスキー ,  フィリップ・リー・フライツ ,  エルヴィン・エヌ・ハンメルル ,  ハーバート・ホ ,  ジェームス・エフ・モセマン ,  ヘルバート・パルム ,  吉田 聖子 ,  高東 宏
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト ,  株式会社東芝
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998008743
Publication number (International publication number)：1998214886
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 溝分離のための改良された処理およびライナを提供すること。【解決手段】改良された処理およびライナは、単層の酸窒化物層20、または2重層の酸窒化物(または酸化物)/窒化物層42、44のいずれかを含む。このような処理およびライナは、許容可能な処理条件範囲を拡大するとともに効果的なO2拡散バリヤであり、さらに、熱燐酸およびフッ化水素酸に対して耐性がある。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の露出面上に窒化物からなる少なくとも1つの層を含む保護層を付着する工程と、前記保護層を介してエッチング処理を行い、少なくとも1つの分離マスク開口部を形成する工程と、前記少なくとも1つの分離マスク開口部を介してエッチング処理を行い、少なくとも1つの分離溝を形成する工程と、前記少なくとも1つの分離溝内および前記保護層上に、酸窒化物と、酸化物および窒化物からなる2重層と、酸窒化物および窒化物からなる2重層とからなる群から選択されたコンフォーマル層を形成する工程と、前記コンフォーマル層の上に、酸化物充填材からなり、前記少なくとも1つの分離溝を充填するのに十分な厚さを有するCVD層を付着する工程と、前記保護層と前記保護層上にある前記コンフォーマル層の部分とを剥離する工程とからなることを特徴とする、集積回路のシリコン基板に分離領域を形成する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-249324
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-217005   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227814   Applicant：株式会社日立製作所