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J-GLOBAL ID：200903088769819584

強誘電体記憶装置

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156456
Publication number (International publication number)：1993347391
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】新しい強誘電体記憶装置構造、半導体記憶装置構造、強誘電体膜構造、強誘電体記憶装置の製造方法および強誘電体膜材料を提供する。【構成】基板上の第1の電極表面には、結晶体から成る第1の強誘電体膜とアモルファス体から成る第2の強誘電体膜とが積層強誘電体膜として形成され、該積層強誘電体膜表面には第2の電極が形成されて成る事を特徴とする強誘電体記憶装置。【効果】記憶時間や記憶寿命が長く、書き込み回数が多く、誘電率の制御が容易な強誘電体記憶装置構造、半導体記憶装置構造、強誘電体膜構造、強誘電体記憶装置の製造方法および強誘電体膜材料を提供する事が出来る。

Claim (excerpt)：

基板上の第1の電極表面には、結晶体から成る第1の強誘電体膜とアモルファス体から成る第2の強誘電体膜とが積層強誘電体膜として形成され、該積層強誘電体膜表面には第2の電極が形成されて成る事を特徴とする強誘電体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-229472
  
• 特開平3-108770
  
• 特開平3-108752
  
• 特開平2-238672