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J-GLOBAL ID：200903088777704443

半導体装置の製造方法

Inventor：
長山 哲治

About 長山 哲治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048269
Publication number (International publication number)：1995326608
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 遠紫外線リソグラフィにおける良好な反射防止効果とドライエッチング特性とを両立させる。【構成】 反射防止膜6をSi組成比の相対的に低いSiOx 膜からなる下層側反射防止膜6L と相対的に高いSiOx 膜からなる上層側反射防止膜6U により構成する。レジスト・パターン7を形成した後、上層側反射防止膜6U をSi用のエッチング条件、下層側反射防止膜6L をSiOx 用のエッチング条件で各々エッチングする。かかる膜厚方向のSi組成比の変動は、CVD成膜条件の制御またはSi+ のイオン注入により付与する。【効果】 上層側反射防止膜6U の方が下層側反射防止膜6L より屈折率が高く、定在波抑制効果が向上する。両膜6U ,6L は各々最適な条件でエッチングされるので、異方性形状が得られる。反射防止膜6の元素組成は全体的には単一なので、成膜も容易である。
Claim (excerpt)：
膜厚方向に沿って構成元素の組成比を変動させた反射防止膜を基板上に成膜する工程と、前記反射防止膜上にレジスト・パターンを形成する工程と、前記レジスト・パターンをマスクとし、前記組成比の変動に応じて最適なエッチング条件を選択しながら前記反射防止膜のドライエッチングを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/302 N ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 574
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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