高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999300093
Publication number (International publication number)：2001114835
Application date： Oct. 21, 1999
Publication date： Apr. 24, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で表される珪素含有置換基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20のアルキレン基又はフェニレン基、R2は互いに同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基もしくはハロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を示し、2≦q≦30である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性により、特に優れた2層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される珪素含有置換基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20のアルキレン基又はフェニレン基、R2は互いに同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基もしくはハロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を示し、2≦q≦30である。)

IPC (9)：

C08F 30/08 , C08F 8/00 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (9)：

C08F 30/08 , C08F 8/00 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

F-Term (66)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096GA08 , 2H096HA24 , 2H096JA04 , 2H096KA06 , 4J100AB07Q , 4J100AE09P , 4J100AJ02R , 4J100AK32R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL10R , 4J100AM21R , 4J100AM43R , 4J100AM47P , 4J100AR09P , 4J100AR09Q , 4J100AR11R , 4J100BA02Q , 4J100BA02R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04Q , 4J100BA11R , 4J100BA12R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA40R , 4J100BA75P , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC53R , 4J100BC58R , 4J100BC60Q , 4J100BC60R , 4J100BC65R , 4J100BC79R , 4J100CA05 , 4J100HA53 , 4J100HE22 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭62-073250
特開昭63-000303

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