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J-GLOBAL ID：200903088801298982

3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 小池 正好 ,  柴田 直樹 ,  山崎 史郎
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994076513
Publication number (International publication number)：1995263748
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】発光強度の向上及び製造方法の容易化【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上には、順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びマグネシウムドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る発光層5、膜厚約0.5 μm、マグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成るi層6が形成されている。そして、発光層5の一部はp型領域50を有し、i層6の一部はp型領域60を有している。p型領域50及びp型領域60はホール濃度2 ×1017/cm3でp伝導型を示し、p型領域50、60を除く、発光層5とi層6は半絶縁性である。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を用いて、n伝導型を示すn層と、半絶縁性のi層とを有する発光素子において、前記i層の表面において形成され、p型化する領域を除く部分が覆われた絶縁膜を有し、前記i層は、前記絶縁膜の覆われた状態で、窒素雰囲気中で加熱処理されることで、部分的にp型化されたp型領域を有することを特徴とする発光素子。