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J-GLOBAL ID：200903088810577380
半導体集積回路パターン,およびその形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991194094
Publication number (International publication number)：1993036686
Application date： Aug. 02, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 所定幅による狭間隔パターンと、比較的広い幅の空白部を介在させた孤立パターンとが混在する集積回路パターンの構成において、回路パターン全体での各パターン間隔,パターン密度の差を解消する。【構成】 狭間隔パターンと孤立パターンとの間の比較的広い幅の空白部に対して、所要の回路パターン全体とは無関係に独立した偽パターンを形成させ、当該所要の回路パターン全体における各パターン間隔,パターン密度をほゞ同程度になるように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体装置の集積回路パターン構成において、所要の回路パターンに合わせて、当該所要の回路パターン全体での各パターン間隔,パターン密度がほゞ同程度になるように、回路とは無関係に独立する偽パターンを形成させたことを特徴とする半導体集積回路パターン。
FI (2)：
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 K
