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J-GLOBAL ID：200903088814173828

多結晶シリコン薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 矢崎 正俊 ,  大島 弘之
Applicant, Patent owner： 株式会社ジーティシー
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992022964
Publication number (International publication number)：1993218430
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高い電界効果易動度と低いリーク電流の電気的特性を有する高性能な多結晶シリコン薄膜トランジスタを得る。【構成】 多結晶シリコン薄膜からなるチャンネル領域,ドレイン領域およびソース領域を構成する多結晶シリコン薄膜の膜厚を250Å〜750Åとし、その水素含有濃度を5×1020 atom cm-3以上とする。また、CVD法で得られた多結晶シリコン薄膜を溶融再結晶化したのち、水素プラズマ処理を施し、この後は400°C以上の加熱温度が加わられないようにする。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン薄膜をチャンネル領域、ドレイン領域およびソース領域とする多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、多結晶シリコン薄膜の膜厚が250Å〜750Åで、チャンネル領域、ドレイン領域およびソース領域中に存在する水素濃度が5×1020atom cm-3以上であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭60-136259
  
• 特開昭61-116873
  
• 特開平1-169962
  
• 特開昭64-046968
  
• 特開昭59-204275