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J-GLOBAL ID：200903088827755958

化合物半導体ウエハの研磨方法

Inventor： 柴谷 博志
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 松井 政広 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202247
Publication number (International publication number)：1993029288
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 改良された化合物半導体ウェハの化学機械的研磨方法の提供。【構成】 化学機械的研磨終了の直前にコロイダルシリカ水性懸濁液によって化学機械的研磨を行なう。【効果】 コロイダルシリカ水性懸濁液の僅かな機械的研磨作用が表われて平滑な表面が得られる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体ウェハを化学機械的研磨する方法において、化学機械的研磨終了の直前にコロイダルシリカ水性懸濁液のみによって研磨を行なうことを特徴とする方法。【0001】