プラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤香
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997330953
Publication number (International publication number)：1999149998
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理を均一に行う。【解決手段】プラズマ処理空間13に向けて排気口16を開いた排気路28を一方の平板11やプラズマ発生空間22側の第2機構21に形成する。また、排気口16を分散させる。これにより、処理済ガスの排気されるまでの移動距離に関しプラズマ処理空間の中央部と周辺部とでの差異が減少し、その結果、プラズマや処理ガスの均一供給によって得られる均一性を超えた均一性が得られる。

Claim (excerpt)：

一方の平板に処理ガス供給口の形成された対向する一対の平行平板の間にプラズマ処理空間を形成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置装置において、前記プラズマ処理空間に向けて排気口を開いた排気路が前記一方の平板に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (6)：

H05H 1/46 M , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体製造装置及び半導体製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-071146 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-219082
特開昭61-174388

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