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J-GLOBAL ID：200903088830840729

半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法

Inventor： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993111526
Publication number (International publication number)：1994321690
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アクセプタ準位を形成するB原子を気相合成時に効率よく導入し、導電性の高い(すなわち、活性化率の高い)p形の半導体ダイヤモンド膜を形成する方法を提供すると共に、気相合成後の半導体ダイヤモンド膜の活性化率を高めることのできる処理方法を提供する。【構成】 気相合成法によって半導体ダイヤモンド膜を形成するに際し、反応ガス中に、BR3 (R;炭化水素基)の構造からなるホウ素化合物を、反応ガス中の炭素原子数に対するホウ素原子数の比;B/Cが100〜10000ppmとなるように添加する。また、気相合成法によって形成された半導体ダイヤモンド膜に、800〜1500°Cの温度で加熱処理を施すか又は紫外線を照射する。

Claim (excerpt)：

気相合成法による半導体ダイヤモンド膜の形成方法であって、反応ガス中に所定量のBR3 (但し、Rは炭化水素基)の構造からなるホウ素化合物を含ませて堆積させることを特徴とする半導体ダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 33/02 ,  C30B 33/04 ,  H01L 21/205