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J-GLOBAL ID：200903088833123440
チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997203698
Publication number (International publication number)：1999012033
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 168〜473°Cの温度で任意のキュリー点を有し、高温での使用においても優れたPTCR特性を有するチタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物を提供することを課題とする。【解決手段】 (Ba<SB>1-x</SB>Pb<SB>x</SB>)TiO<SB>3</SB>(0.1≦x<1)を母体としたチタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物において、半導体化剤を母体に対して0.05〜0.2モル%添加するとともに、酸化ホウ素(B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>)を母体に対して0.3〜20モル%添加し、さらにPbOを母体に対して1〜5モル%過剰に添加するチタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物を提供する。
Claim (excerpt)：
(Ba<SB>1-x</SB>Pb<SB>x</SB>)TiO<SB>3</SB>(0.1≦x<1)を母体としたチタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物において、半導体化剤を母体に対して0.05〜0.2モル%添加するとともに、酸化ホウ素(B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>)を母体に対して0.3〜20モル%添加し、さらにPbOを母体に対して1〜5モル%過剰に添加することを特徴とするチタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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