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J-GLOBAL ID：200903088834637170

窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法

Inventor：
佐藤 義浩

About 佐藤 義浩


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (2)： 松下 亮 ,  西山 善章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008085473
Publication number (International publication number)：2009239144
Application date： Mar. 28, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：
【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子における電極の半導体動作層とのオーミックコンタクト抵抗を飛躍的に低下させることにより、高耐圧大電流であって、且つ低損失の電力用の半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上14に少なくとも電子走行層15及び電子供給層18を有するヘテロ接合構造体を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体動作層と、当該半導体動作層上に形成された少なくとも一つの電極と、を備えた半導体素子において、前記電極は、電子供給層18を通って電子走行層15に達するリセス部20に形成され、当該リセス部20は、その長手方向が前記半導体動作層15、18を流れる電流の方向に沿って形成される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも電子走行層及び電子供給層を有するヘテロ接合構造体を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体動作層と、当該半導体動作層上に形成された少なくとも一つの電極と、を備えた半導体素子において、 前記電極は、前記電子供給層を通って前記電子走行層に達するリセス部に形成され、 前記リセス部は、当該リセス部の長手方向が前記半導体動作層を流れる電流の方向に沿って形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子。
IPC (5)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (4)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
F-Term (32)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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