Pat

J-GLOBAL ID：200903088848451100

パターンの形成方法

Inventor： 徳井 晶
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347565
Publication number (International publication number)：1994204130
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 簡略なプロセスで寸法精度の高いレジストパターンを得る。【構成】 シリコン酸化膜11が形成される。シリコン酸化膜11上にシリコン系有機材料よりなる反射防止膜13が形成される。反射防止膜13上に所定のパターンに従ってレジストパターン15が形成される。レジストパターン15をマスクとして反射防止膜13の露出部13bに酸素プラズマ処理が施される。レジストパターン15をマスクとして反射防止膜13の露出部13aとシリコン酸化膜11とが同時に除去される。レジストパターン15と反射防止膜13の残存部13aとが同時に除去される。

Claim (excerpt)：

上層にシリコン酸化物を含む層をフォトリソグラフィを用いてパターニングするパターンの形成方法であって、シリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にシリコン系有機材料よりなる反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に所定のパターンに従ってフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記反射防止膜に酸素プラズマ処理を施す工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記フォトレジスト膜から露出する前記反射防止膜と前記シリコン酸化膜とを除去する工程と、前記マスクとして用いられた前記フォトレジスト膜と残存した前記反射防止膜とを除去する工程とを備えた、パターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (2)：

H01L 21/30 361 P ,  H01L 21/30 361 T