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J-GLOBAL ID：200903088860235595
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002800
Publication number (International publication number)：1994208998
Application date： Jan. 11, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】【目的】水を使用した洗浄工程の際に、Al-Cu合金からなる配線に穴開きが発生することを防止すると共に、配線のEM耐性を向上した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】Al-Cu合金からなる配線4を当該合金の固溶限以上の温度で成膜した後、必要な全工程を終了させ、その後、前記配線4の固溶限以下の温度で熱処理を行い、Alの粒界にCuを析出させる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上の所望位置に、Al-Cu合金からなる配線を当該合金の固溶限以上の温度で成膜する工程と、全工程終了後、前記合金の固溶限以下の温度で熱処理を行い、Cuを析出させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
