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J-GLOBAL ID：200903088864418813

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 東 光敏
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996152177
Publication number (International publication number)：1997330943
Application date： Jun. 13, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 樹脂フィルムの一面側に配線パターンを形成した配線パターンフィルムを用いた半導体装置において、ワイヤボンディング性を向上する。【解決手段】 樹脂フィルム10の一面側に配線パターン14を形成した配線パターンフィルム16の配線パターン形成面側に半導体素子22を搭載し、半導体素子の接続パッド24と配線パターン14のボンディングパッド17とを、ワイヤ26を介して電気的に接続して成る半導体装置を製造する際に、該樹脂フィルム10の他面側に開口され、且つワイヤ26を接続したボンディングパッド17の表面に対応する裏面が底面に露出する穴部32に、ヒートブロック34に形成した凸部38を挿入してボンディングパッド17を加熱しつつ、一端を半導体素子22の接続パッド24に接合したワイヤの中途部をボンディングパッド17に熱圧着する。

Claim (excerpt)：

絶縁フィルムの一面側に配線パターンが形成された配線パターンフィルムの配線パターン形成面側に半導体素子が搭載され、且つ前記半導体素子の接続パッドと配線パターンのボンディングパッドとが、ワイヤを介して電気的に接続されて成る半導体装置において、該絶縁フィルムの他面側に開口する穴部が、前記絶縁フィルムを貫通して形成されていると共に、前記ワイヤが接続されたボンディングパッドの表面に対応する裏面が穴部底面に露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/603 ,  H01L 23/12

FI (4)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/603 B ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/12 K