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J-GLOBAL ID：200903088898237281

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 奥村 信夫
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992306672
Publication number (International publication number)：1994163681
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【構成】 素子間分離領域11の側壁部16にSiO2 膜19を介してSiNX 膜17が形成され、かつ素子間分離領域11近傍に不純物が注入されている半導体装置。【効果】 反転電圧が高く、寄生トランジスタが発生しにくい半導体装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

素子間分離領域の側壁部にSiO2 膜を介してSiNX 膜が形成され、かつ前記素子間分離領域近傍に不純物が注入されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-098958
  
• 特開平1-310557
  
• 特開平1-185936
  
• 特開平1-308044