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J-GLOBAL ID：200903088898543080

半導体力学量センサ

Inventor： 石王 誠一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000259400
Publication number (International publication number)：2002071708
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： Mar. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板にX方向及びY方向へ変位可能な可動電極を形成すると共に、各方向において該可動電極と検出間隔を有して対向する一対の固定電極を形成し、各方向へ発生する力学量を可動電極と各一対の固定電極との間の容量変化に基づいて検出可能とした半導体力学量センサにおいて、一対の固定電極間に発生する寄生容量の差を小さくし、センサ出力の誤差を低減する。【解決手段】 半導体基板12のうち可動電極30からみて個々の第1及び第2の固定電極30、40、50、60の外周部に、個々の固定電極毎に電気的に接続された引き出し部41、51、61、71と、この引き出し部と電気的に接続された外部接続用のパッド部42、52、62、72とを形成する。それにより、各固定電極における引き出し部の長さを互いに極力同程度とすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体よりなる半導体基板(12)と、この半導体基板に形成され力学量の印加に応じて前記半導体基板と平行な面内にて相直交する第1の方向(X)及び第2の方向(Y)へ変位可能な可動電極(30)と、前記半導体基板のうち前記第1の方向に沿った前記可動電極の両端の外周部にそれぞれ形成され前記可動電極との間に第1の検出容量(CS1、CS2)を形成する一対の第1の固定電極(40、50)と、前記半導体基板のうち前記第2の方向に沿った前記可動電極の両端の外周部にそれぞれ形成され前記可動電極との間に第2の検出容量(CS3、CS4)を形成する一対の第2の固定電極(60、70)と、力学量の印加に応じて前記可動電極が前記第1の方向へ変位したとき、前記一対の第1の検出容量の変化に基づいて印加力学量を検出するようにし、力学量の印加に応じて前記可動電極が前記第2の方向へ変位したとき、前記一対の第2の検出容量の変化に基づいて印加力学量を検出するようにした半導体力学量センサであって、前記半導体基板のうち前記可動電極からみて個々の前記第1及び第2の固定電極の外周部には、個々の前記固定電極毎に電気的に接続された引き出し部(41、51、61、71)と、この引き出し部と電気的に接続された外部接続用のパッド部(42、52、62、72)とが形成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (5)：

G01P 15/125 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/18 ,  H01L 29/84

FI (5)：

G01P 15/125 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z ,  G01P 15/00 K

F-Term (20)：

2F105BB03 ,  2F105BB11 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA06 ,  4M112DA15 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07