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J-GLOBAL ID：200903088900906226

集積回路デバイスの製造方法

Inventor： エドウィン アーサー チャンドロス ,  アナンス ドダバラピュール ,  ホワード エダン カッツ ,  ベンカタラム レディ ラジュ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外12名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000372277
Publication number (International publication number)：2001230421
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 集積回路デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 集積回路は、複数のTFTと電気的接続構造を含む。本発明のプロセスにおいては、TFTの少なくとも一部の構成要素を第1基板10上に形成する。少なくとも相互接続構造を第2基板40上に形成する。この2枚の基板10、40を積層して、TFTを有する集積回路デバイスを形成する。

Claim (excerpt)：

(A) 第1基板(10)上に薄膜トランジスタの少なくとも一部を形成するステップと、(B) 第2基板(40)の上に相互接続構造を形成するステップと、(C) 前記第1基板(10)を第2基板(40)に積層するステップとを有し、これにより前記薄膜トランジスタを相互接続構造に電気的に接続することを特徴とする集積回路デバイスの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 ,  H01L 51/00

FI (7)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 C ,  H01L 29/78 616 K ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-211175
  
• 特開昭64-018248