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J-GLOBAL ID：200903088901240655

基板処理装置

Inventor： 長谷川 満 ,  豊田 一行 ,  佐藤 武敏 ,  境 正憲 ,  嶋 信人 ,  紺谷 忠司 ,  国井 泰夫 ,  中川 崇 ,  宮内 昭浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 宮本 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004066740
Publication number (International publication number)：2005259841
Application date： Mar. 10, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】原料ガスの切り換えを短時間に可能とする基板処理装置を提供する【解決手段】積層した半導体ウエハ200を収容する反応管203と、反応管203の外部に設置された加熱源207と、反応管203内へガスを導入するガス供給管302と、反応管203内からガスを排出する2つのガス排気管303、311とを備え、ガス供給管302にはガス噴出口308を積層したウエハ200に対向するように設け、ガス排気管303にはガス排気口309を積層したウエハ200に対向するように設け、ガス排気管311には、ガス排気口を積層したウエハ200には対向しない位置に設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

積層した基板を収容する容器と、該容器の外部に設置された加熱源と、外部から前記容器の内部へガスを導入するための少なくとも一つのガス供給管と、前記容器の内部から外部へガスを排出するための少なくとも2つのガス排気管とを備える基板処理装置であって、

IPC (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

FI (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

F-Term (12)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 縦型減圧化学気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318759   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (1)

• 特開平3-047531