Pat

J-GLOBAL ID：200903088907247260

半導体レーザ装置

Inventor： 大林 健 ,  工藤 裕章 ,  猪口 和彦 ,  菅原 聰 ,  八木 久晴 ,  伊藤 茂稔
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993235102
Publication number (International publication number)：1995094824
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 酸化防止層の表面欠陥やオーバーエッチング等に起因する素子作製不良の発生確率を低減させて高性能な素子を歩留り良く作製する。【構成】 第2クラッド層105と酸化防止層107の間に活性層104より禁制帯幅が大きく第2クラッド層105よりAlの混晶比が低いエッチング防止層106を設けたので、ストライプ状溝部112の形成のためにAlの混晶比の高い層を選択的にエッチングして第2クラッド層105を除去する工程において、酸化防止層107が部分的に表面欠陥やオーバーエッチング等が原因で除去されたとしても、露出するのはAl混晶比の低いエッチング防止層106であり、この層でエッチングは止まりエッチングストップ層108までエッチング液が達してエッチングが行われてしまうようなことはない。また、エッチング防止層106が露出しても酸化は比較的抑えられて、容易に第2回目の膜成長が行えて、素子特性や寿命への悪影響も低減される。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に少なくとも第1導電型のAlGaAs第1クラッド層、AlGaAs活性層、第2導電型のAlGaAs第2クラッド層、該AlGaAs活性層より禁制帯幅が大きく該AlGaAs第2クラッド層よりAlの混晶比が低い第2導電型のAlGaAsエッチング防止層、第2導電型のGaAsまたはAlGaAs酸化防止層、第1または第2導電型のAlGaAsエッチングストップ層さらに第1導電型のGaAsまたはAlGaAs電流ブロック層が順次積層され、該AlGaAsエッチングストップ層およびGaAsまたはAlGaAs電流ブロック層がストライプ状溝を形成するように部分的に除去され、該ストライプ状の溝を埋めるように少なくとも第2導電型のAlGaAs第3クラッド層が積層され、さらに第2導電型のGaAsコンタクト層が積層された半導体レーザ装置。