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J-GLOBAL ID：200903088920082718

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 今井 伸一 ,  寺井 由佳 ,  福本 正紀 ,  矢野 航作 ,  海本 博之 ,  小田中 紳二 ,  水野 康男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993040829
Publication number (International publication number)：1993347298
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜を平坦化するためにフローさせる温度を低下させ、半導体装置の特性を良好に維持する。【構成】 絶縁膜がシリコン酸化膜系の場合、絶縁膜のマトリクスの主要素となるシリコン原子Siと副要素となる酸素原子Oとで網目構造が形成されている。このマトリクス内の副要素である酸素原子Oを非架橋型元素からなる非架橋要素例えば1価元素である弗素F等のハロゲン原子で置換する。これにより、酸素原子Oを介したシリコン原子Si-Si間の架橋をこの部位で切断し、絶縁膜の粘性を低下させ、フロー温度を低下させる。例えばBPSG膜内の一部の酸素Oを弗素Fで置換してFBPSG膜とした場合、フロー温度が900°Cから850°Cに低下し、半導体装置のショートチャネル効果を生ぜしめない温度で、層間絶縁膜をフローさせることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に絶縁膜を有する半導体装置において、上記絶縁膜は、少なくとも1種類の元素からなる主要素と少なくとも1種類の元素からなる副要素とが網目状に結合してなるマトリクスと、上記副要素のうち一部の副要素と置換して上記主要素に結合し、マトリクスの網目を部分的に切断する少なくとも1種類の非架橋型元素からなる非架橋要素とにより構成されていることを特徴とする半導体装置。