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J-GLOBAL ID：200903088922143021

窒化物単結晶の製造方法およびその製造装置

Inventor： 一ノ瀬 昇 ,  真田 和夫
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学 ,  株式会社フジクラ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003078418
Publication number (International publication number)：2004284869
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥がなく、良質で、大口径の単結晶が効率よく製造できるようにすることにある。【解決手段】昇華法によりサセプター8上の種結晶7上に窒化物単結晶を成長させる製造において、サセプター8の種結晶7を貼り付ける面を、水平面に対して0.1〜2.0度傾斜させる。また、種結晶7の成長面を結晶学的方位から水平面に対して0.1〜0.8度傾斜させることが好ましい。さらに、雰囲気ガスの排出口6をサセプターの傾斜方向に設け、昇華ガスの流れFをサセプター8の表面の傾斜にほぼ一致させることも好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

昇華法によりサセプター上の種結晶上に窒化物単結晶を成長させる製造方法において、サセプターの種結晶を貼り付ける面を、水平面に対して0.1〜2.0度傾斜させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。

IPC (1)：

C30B29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (12)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077ED05 ,  4G077EG03 ,  4G077EG21 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-214497   Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー