半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992246827
Publication number (International publication number)：1993218358
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高電圧の掛かる不揮発性記憶装置と5V系の論理回路を整合良く1チップ化可能な半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板20から絶縁膜を介して第1の電気的に浮遊状態にある導電膜24が積層された構造において、上記導電膜24下の絶縁膜は厚さの異なる少なくとも2種のゲート絶縁膜23,27,28よりなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板から絶縁膜を介して電気的に浮遊状態にある第1の導電膜が積層された構造において、上記絶縁膜は厚さの異なる少なくとも2種のゲート絶縁膜よりなる事を特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-214777
特開平3-126265
特開平1-218059

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