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J-GLOBAL ID：200903088951788651

膜の転写方法

Inventor： 和田 隆亜 ,  外山 綱造 ,  野津 智史 ,  川崎 岳彦 ,  倉島 玲伊 ,  野尻 英章 ,  赤池 正剛
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000368701
Publication number (International publication number)：2002171009
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高温が必要なプロセスでも、直接成膜が困難な基板上へも膜を転写できるデバイスを実現する。【解決手段】 第一基板11,12上に形成した被転写膜15〜17を第二基板18,19上に転写する、膜の転写方法において、第一基板上に剥離層13及び被転写膜を順次形成する第一の工程と、被転写膜と第一基板とは熱膨張係数の異なる第二基板を被転写膜と接着する第二の工程と、接着した第一基板と第二基板とを加熱または冷却し剥離層での剥離を生じさせて、被転写膜を第二基板上に転写する第三の工程と、を有する。

Claim (excerpt)：

第一基板上に形成した被転写膜を第二基板上に転写する、膜の転写方法において、前記第一基板上に剥離層及び被転写膜を順次形成する第一の工程と、前記第一基板とは熱膨張係数の異なる前記第二基板を前記被転写膜と接着する第二の工程と、接着した前記第一基板と前記第二基板とを加熱または冷却し前記剥離層での剥離を生じさせて、前記被転写膜を前記第二基板上に転写する第三の工程と、を有することを特徴とする、膜の転写方法。

IPC (2)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/187

FI (2)：

H01L 41/22 Z ,  H01L 41/18 101 D