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J-GLOBAL ID：200903088956353068
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022219
Publication number (International publication number)：1995211936
Application date： Jan. 21, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 接合界面において価電子帯または伝導帯に大きな不連続が存在するp-p接合またはn-n接合を有する半導体装置において、接合に電圧を印加したときに接合に大きな電流を流すことができるようにする。【構成】 ZnSeのpn接合ダイオードにおいて、p型ZnSe層2上にi型ZnTe層3を介してp型ZnTe層4を積層する。p型ZnSe層2とi型ZnTe層3との接合のi型ZnTe層3側の価電子帯が下に凸となるように曲がることにより、p側電極5からp型ZnTe層4に注入される正孔に対する、p型ZnSe層2とi型ZnTe層3との接合の実効的な障壁の高さは、p型ZnSe層2とi型ZnTe層3との接合の界面における価電子帯の不連続の大きさよりも実効的に小さくなり、正孔が接合を流れやすくなる。この構造を半導体レーザーなどに利用する。
Claim (excerpt)：
互いに導電型が同一の第1の半導体と第2の半導体との接合を有し、上記第1の半導体および上記第2の半導体がp型である場合には上記第1の半導体と上記第2の半導体との接合の界面において上記第1の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーは上記第2の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーよりも低く、上記第1の半導体および上記第2の半導体がn型である場合には上記第1の半導体と上記第2の半導体との接合の界面において上記第1の半導体の伝導帯の底のエネルギーは上記第2の半導体の伝導帯の底のエネルギーよりも高い半導体装置において、上記第1の半導体と上記第2の半導体との間に真性またはほぼ真性の第3の半導体が設けられており、上記第1の半導体および上記第2の半導体がp型である場合には上記第1の半導体と上記第3の半導体との接合の界面において上記第3の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーは上記第1の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーよりも高く、上記第1の半導体および上記第2の半導体がn型である場合には上記第1の半導体と上記第3の半導体との接合の界面において上記第3の半導体の伝導帯の底のエネルギーは上記第1の半導体の伝導帯の底のエネルギーよりも低いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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