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J-GLOBAL ID：200903088982244900

半導体装置

Inventor： 片岡 正行 ,  古川 彰彦 ,  高見 哲也 ,  大石 敏之 ,  和田 幸彦 ,  黒田 研一 ,  児島 一良
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035794
Publication number (International publication number)：1995245409
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 PZT等の優れた特性を有する強誘電体絶縁膜を用いることのできる、また高周波、高電力化に対応できる耐酸化性の高い半導体材料を用いた半導体装置を提供することを目的とする。さらに、界面構造の乱れのないSOI基板や、FRAMが部分配置された半導体集積回路等を実現する。【構成】 耐酸化性半導体材料として、SiCまたは立方晶SiC、BN、YB66、チタン酸ストロンチウム、ダイヤモンドを用いた。さらに、配線材料として、低抵抗の銀や銅を用いるほか、強誘電体、配線材料半導体材料の格子定数を一致させた。また、耐酸化性半導体材料により構成されたFRAMを半導体集積回路に搭載し、高集積化を図った。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(MISFET)を用いて構成される強誘電体記憶素子(FRAM)において、半導体部が耐酸化性の良好な半導体材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 371