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J-GLOBAL ID：200903088983246540

半導体量子ドット素子とその製造方法

Inventor： 斎藤 英彰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998228778
Publication number (International publication number)：2000058978
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。【解決手段】 GaAs層3上に、これよりも格子定数の大きいInAs量子ドット4を歪み緩和を利用して形成する。このときIn安定化面となるInAs表面が形成される成長条件で成長を行うと、Inのマストランスポートが充分に行われて、ドットはエネルギーの平衡状態の大きさに揃う。この均一なサイズ分布を持つ多数の量子ドット4を使って量子ドットデバイスを作製することにより、例えば、低しきい値電流で発振する量子ドットレーザが実現される。

Claim (excerpt)：

第1の半導体と、この第1の半導体上の、前記第1の半導体と格子定数が異なり且つ前記第1の半導体よりもバンドギャップが小さい第2の半導体とからなり、半導体表面が安定な再配列構造を取らない条件で形成したドット構造を備えることを特徴とする半導体量子ドット素子。

IPC (4)：

H01S 5/30 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F073AA75 ,  5F073CA02 ,  5F073CA04 ,  5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103DD30 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL07 ,  5F103LL16 ,  5F103LL17 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05