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J-GLOBAL ID：200903088984460805
薄膜太陽電池
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995283804
Publication number (International publication number)：1997129907
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】エッチングによってわざわざテクスチャ構造を付与する必要のない、優れた構造の薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】(100)単結晶Si基板上に、液相成長法によってSi結晶薄膜が形成され、その結晶析出表面が、各ピラミッド状突起51の底辺Wが1〜500μmのテクスチャ構造となっている。
Claim (excerpt)：
(100)単結晶Si基板上に、液相成長法によってSi結晶薄膜が形成され、この薄膜の結晶析出表面が、それ自身の結晶配向に基づく(111)傾斜面によってテクスチャ構造となっており、上記テクスチャ構造を構成する各ピラミッド状突起の底辺が1〜500μmであることを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (3)：
H01L 31/04
, C30B 29/06 501
, H01L 21/208
H01L 31/04 A
, C30B 29/06 501 B
, H01L 21/208 D
