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J-GLOBAL ID：200903088991420436

レーザー処理方法

Inventor： 張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191938
Publication number (International publication number)：2001035807
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】パルスレーザーを用いたレーザーアニール等のレーザー処理方法に関して、歩留まり、再現性、良好な特性が安定に得られるための方法を提供する。【解決手段】レーザー装置から発生するレーザーパルスを被照射体に照射するレーザー処理方法において、前記レーザーパルスは、少なくとも2つのピークを有していることを特徴とするレーザー処理方法である。

Claim (excerpt)：

レーザー装置から発生するレーザーパルスを被照射体に照射するレーザー処理方法において、前記レーザーパルスは、少なくとも2つのピークを有していることを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-267578
  
• 特開平4-102311
  
• 特開昭63-105970