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J-GLOBAL ID：200903088992168145

プラズマ増強スパッタリング装置

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994029397
Publication number (International publication number)：1995238371
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】 プラズマ源を誘導結合による高周波導入手段およびその高周波導入手段の中心軸に平行な磁界発生手段から成る有磁場誘導結合プラズマ源をとし、さらに環状ターゲットに円筒状マグネトロン磁場発生手段を配置したプラズマ増強スパッタリング装置を用いて、基体上への薄膜形成を行なう。【効果】 安定的なプラズマ発生用電力の導入が可能で、ECRプラズマよりも高密度プラズマを発生させることができ、良質の絶縁体膜、半導体膜、導電性膜などを高速に形成することができる。

Claim (excerpt)：

真空容器、該真空容器内に設置された被覆基体支持手段、被覆基体上に形成される薄膜の構成元素を含むターゲット、該ターゲットを載置する電極、該電極に直流電力または高周波電力を印加する手段、該真空容器内にプラズマ発生用気体を導入する手段、および該ターゲット近傍へプラズマを供給するプラズマ源を有して成るプラズマ増強スパッタリング装置において、プラズマ源が誘電体製筒状管および誘導結合により該筒状管内に高周波を導入する手段を有して成ることを特徴とするプラズマ増強スパッタリング装置。

IPC (2)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/34