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J-GLOBAL ID：200903088996412938

III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor：
猪口 和彦

About 猪口 和彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005111932
Publication number (International publication number)：2005229132
Application date： Apr. 08, 2005
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：
【課題】 エッチング技術を用いずにIII族窒化物系化合物半導体発光素子のIII族窒化物系化合物半導体薄膜の端面、素子分離および電極形成をすることができるIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する工程と、基板またはIII族窒化物系化合物半導体の上にIII族窒化物系化合物半導体層の積層膜であるIII族窒化物系化合物半導体薄膜を誘電体膜よりも厚く選択成長させる工程とを含み、III族窒化物系化合物半導体薄膜は誘電体膜の膜厚以上の領域で広がって成長し、その両端部に斜め角度を有する端面が形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する工程と、 前記基板または前記III族窒化物系化合物半導体の上に、III族窒化物系化合物半導体層の積層膜であるIII族窒化物系化合物半導体薄膜を前記誘電体膜よりも厚く選択成長させる工程とを含み、 前記III族窒化物系化合物半導体薄膜は前記誘電体膜の膜厚以上の領域で広がって成長し、その両端部に斜め角度を有する端面が形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323
FI (3)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 610
F-Term (47)：
5F041AA04 ,  5F041AA13 ,  5F041AA31 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F041CB05 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F173AA21 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH49 ,  5F173AL10 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL19 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AP20 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP47 ,  5F173AP62 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP79 ,  5F173AP86 ,  5F173AR92 ,  5F173AR93 ,  5F173AR96
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開昭56-150880号公報
Cited by examiner (2)

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