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J-GLOBAL ID：200903088998501423

半導体スイッチング素子の保護装置

Inventor： 太田 智市郎 ,  畠 茂雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丹羽 宏之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149542
Publication number (International publication number)：1993344642
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 配線が簡単で、動作停止を伴うことのない半導体スイッチング素子の保護装置を提供する。【構成】 本発明は、MOS-FET,バイポーラトランシスタ等のスイッチング素子のオン電圧(飽和電圧)が使用環境温度の上昇や負荷電流の上昇に応じて上昇することに着目して、スイッチング素子の保護を行う。図1で、スイッチング素子TR1のオン電圧を素子D1,C1,R1の回路で検出する。検出電圧は、オペアンプOP1で所定電圧と比較し、所定電圧を超えたときPWM回路IC2に誤差信号と共にフィードバックされる。これにより、オン電圧が所定値を超えると、スイッチング素子TR1のデューティが制限され、同素子TR1の保護が行われる。

Claim (excerpt)：

オンオフ制御を行う半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子のオン電圧を検出するオン電圧検出手段と、このオン電圧検出手段の出力が所定値を超えたとき前記半導体スイッチング素子のデューティを制限するデューティ制限手段とを備えたことを特徴とする半導体スイッチング素子の保護装置。

IPC (2)：

H02H 7/20 ,  H03K 17/08