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J-GLOBAL ID：200903089015114440

成膜方法および装置

Inventor： 小西 信博 ,  石川 勝彦 ,  伊藤 雅樹 ,  伊藤 秀文
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995177848
Publication number (International publication number)：1997036040
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 CVD法とスパッタリング法とを同時に行うことにより複合元素薄膜の形成における組成制御を良好に行う。【構成】 ステージ4に半導体ウエハ3を搭載し、ヒータ8によりステージ4を600°C〜650°C程度まで加熱して真空ポンプ11を動作させ、有機ガス供給系13から有機金属ガスをキャリアガスと伴に導入管12からチャンバ2内に供給し、CVD法による成膜を行う。一方、酸素プラズマを発生させる酸素ガスが生成ガス導入管10から供給され、高周波発生器7により高周波を印加し、CVD法を行いながらスパッタリング法を行う。所望の組成比となるように有機金属ガスの流量、チャンバ内の圧力および高周波電源のパワーを可変させて所定の組成制御の複合元素薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

化学的成膜方法と物理的成膜方法とを同時に行い、被処理物に複合元素薄膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 D