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J-GLOBAL ID：200903089016567120

記憶セル、この記録セルを用いたメモリマトリックス及びこれらの製造方法

Inventor： 斎藤 律
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 松山 圭佑 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001042055
Publication number (International publication number)：2002246561
Application date： Feb. 19, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 カルコゲナイド系材料を用いた記憶素子と、これに情報を入出力するためのダイオード素子からなる記憶セルを低コストで構成し、アドレス速度を向上させる。【解決手段】 記憶セル20は、カルコゲナイド層34を含む記憶素子24と6族半導体材料からなるダイオード素子22とから形成される。ダイオード素子22は第1のアドレスライン側のSe層26とこの上に積層されたCdSn合金層28から構成される。

Claim (excerpt)：

相変化材料を用いた記憶素子と、6族半導体からなり、前記記憶素子に情報を入出力するためのダイオード素子と、を有してなる記憶セル。

IPC (3)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00

FI (3)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00 A

F-Term (7)：

5F083EP00 ,  5F083GA01 ,  5F083JA36 ,  5F083JA51 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR33