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J-GLOBAL ID：200903089018453289

プラズマ処理装置

Inventor： 今福 光祐 ,  小林 義之 ,  長山 将之 ,  遠藤 昇佐
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996261353
Publication number (International publication number)：1998092796
Application date： Sep. 10, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電極周辺の消耗部品として耐プラズマ性が高く、パーティクルも発生し難い材料を用いたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器4内にて載置台6上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に設けられた消耗部品24、46を、純度99.9%以上で、かさ比重が3.980以上の多結晶アルミナ質焼結体により構成する。これにより、プラズマに対する耐久性を向上し、堆積物に対する密着性を向上させてパーティクルを剥がれ難くする。

Claim (excerpt)：

真空引き可能になされた処理容器内にて載置台上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に設けられた消耗部品を、純度99.9%以上で、かさ比重が3.980以上の多結晶アルミナ質焼結体により構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/68

FI (8)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/44 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/68 N