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J-GLOBAL ID：200903089032252083

化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。

Inventor：
岡本 浩治

About 岡本 浩治


Applicant, Patent owner：
田中貴金属工業株式会社

About 田中貴金属工業株式会社


Agent (1)： 田中 大輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001012943
Publication number (International publication number)：2002212112
Application date： Jan. 22, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【解決課題】化学気相蒸着(CVD)法によるルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の原料について、CVD反応系への酸素ガス導入がなくとも不活性ガス中での加熱のみで分解可能であり、薄膜の電気・電子部材の特性に悪影響を及ぼす下地基板への酸素のドーピングを防止し、良好な性状の薄膜を製造可能な原料化合物を提供する。【解決手段】CVD法ルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜製造用のルテニウム化合物であって、一般式1〜3のジカルボニルトリメチルシリルルテニウム化合物、トリカルボニルルテニウム化合物又はテトラカルボニルビス(トリメチルシリル)ルテニウム化合物。(Xは1〜4個の2重結合を有する直鎖/分枝状のアルケニル基又はシクロアルケニル基、直鎖/分枝状のアルカジエニル基又はシクロアルカジエニル基、シクロアルカトリエニル基又はシクロアルカテトラエニル基を示す。)
Claim (excerpt)：
化学気相蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するためのルテニウム化合物であって、下記の化1〜化3の一般構造式で示される、ジカルボニルトリメチルシリルルテニウム化合物、トリカルボニルルテニウム化合物、テトラカルボニルビス(トリメチルシリル)ルテニウム化合物のいずれかよりなる化学気相蒸着用のルテニウム化合物【化1】(式中、置換基であるXは1〜4個の2重結合を有する、直鎖状、分枝状のアルケニル基又はシクロアルケニル基、若しくは、直鎖状、分枝状のアルカジエニル基又はシクロアルカジエニル基、若しくは、シクロアルカトリエニル基、若しくは、シクロアルカテトラエニル基、のいずれかを示す。)【化2】(式中のXの意義は上記と同様である。)【化3】
IPC (4)：
C07C 13/23 ,  C07F 7/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40
FI (4)：
C07C 13/23 ,  C07F 7/08 Z ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40
F-Term (14)：
4H006AA01 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ22 ,  4H049VR23 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • Organometallics, 1987, Vol.6, No.10, p.2085-2088
  • Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistry, 1978, No.5, p.403-412
  • Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistry, 1975, No.16/17, p.1633-1640
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