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J-GLOBAL ID：200903089035587990
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088892
Publication number (International publication number)：1994029573
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】本発明は、反応性イオンエッチング技術を用いることにより、発光領域(活性層近傍)端からの光漏れを低減させ、発光素子間隔が狭く、例えばオートフォーカス用の光源として使用する場合にも高い測距性能を実現する半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】GaAs基板上にpn接合面を形成してなる発光領域を備える複数の電流狭窄型発光ダイオードを具備し、前記複数の発光ダイオードは、前記pn接合面にほぼ垂直な溝により電気的に分離され、前記溝部分の発光領域部の端面は、前記発光ダイオード表面の端面よりも前記pn接合面の法線方向の内側にある。また、前記溝は、少なくとも三塩化ホウ素ガス、塩素ガス、及びアルゴンガスの混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法により形成され、前記発光領域を形成する材料は、GaAlAsまたはInGaAlPである。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上にpn接合面を形成してなる発光領域を備える複数の電流狭窄型発光ダイオードを有し、前記複数の発光ダイオードは、前記pn接合面にほぼ垂直な溝により電気的に分離され、前記溝部分の発光領域部の端面が、前記発光ダイオード表面の端面よりも前記pn接合面の法線方向の内側にあることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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