Pat

J-GLOBAL ID：200903089054127789

薄膜エレクトレットマイクロフォン

Inventor： タイ,ユーチョン ,  スー,ツェンヤン ,  シェ,ウェン,エイチ.
Applicant, Patent owner： カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー
Agent (1)： 長谷 照一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997537420
Publication number (International publication number)：2000508860
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：

【要約】少なくともその一方が支持構造の上に形成されたマイクロ加工エレクトレット層(6)を含む、マイクロホン膜ユニット(30)とマイクロホン裏板(32)とを近接配置することによって、高度に信頼性のある、安価なマイクロホンを生産することから成るエレクトレットマイクロホン製作方法。熱的アニーリングを使って注入電荷を安定させる。

Claim (excerpt)：

マイクロ加工技術によって支持構造の上にエレクトレット層を形成するステップによってエレクトレットを製造する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 集積容量性変換器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225387   Applicant：セムセントルスイスデレクトロニクエドゥミクロテクニクソシエテアノニム-ルシェルシュエデベロプマン
• 特公昭56-050408
  
• 特表平3-504431
  
• 特許第4908805号