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J-GLOBAL ID：200903089058230304

半導体レーザ

Inventor： 宇佐川 利幸 ,  佐和田 明美
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244498
Publication number (International publication number)：1994097571
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】低しきい値,高利得,高緩和振動数で、加工バラツキに強い半導体レーザを150-200nmと量子細線/量子箱としては、一桁以上大きい寸法で実現する素子構造を提供する。【構成】図1に示すように、変調ドープ多重量子井戸のヘテロ接合界面を周期的に折り曲げる構造を半導体レーザの活性層にもちいる。p型AlzGa1-zAs11とアンドープGaAs12が所定の折り曲げ周期で多層に形成される。【効果】低しきい値として、100μA、高緩和振動数として70GHzを実現した。

Claim (excerpt)：

変調ドープ多重量子井戸(一個以上の量子井戸)のヘテロ接合界面が周期的に折り曲げられている構造を半導体レーザの活性層に用いる事を特徴とする半導体レーザ。