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J-GLOBAL ID：200903089064022241

非還元性誘電体磁器組成物

Inventor： 大 森 長 門 ,  浜 地 幸 生 ,  坂 部 行 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991270158
Publication number (International publication number)：1993078166
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Mar. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 1080°C以下の低温で焼結し、かつ還元雰囲気で焼成しても電気的特性の劣化の生じない、非還元性誘電体磁器組成物を得る。【構成】 一般式がA(Bi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・BTiO<SB>2 </SB>)+(100-A){(Sr<SB>100-X-Y </SB>Pb<SB>X </SB>Ca<SB>Y </SB>)(Ti<SB>100-Z </SB>Mg<SB>Z </SB>)O<SB>3 </SB>}(ただし、A,B,X,YおよびZはモル%)で表され、A,B,X,Y,Zがそれぞれ、0≦A≦10,0.8≦B≦8,0≦X≦100,0≦Y≦70,0.1≦Z≦2の範囲内にある主成分に対し、一般式がaLi<SB>2 </SB>O+bRO+cB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+(100-a-b-c)SiO<SB>2 </SB>(ただし、RはMg,Ca,SrおよびBaの中から選ばれる少なくとも1種類、a,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、それぞれ、0≦a<20,10≦b<55,0≦c<40である副成分を0.1〜30重量%含有した、非還元性誘電体磁器組成物である。

Claim (excerpt)：

一般式がA(Bi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・BTiO<SB>2 </SB>)+(100-A){(Sr<SB>100-X-Y </SB>Pb<SB>X </SB>Ca<SB>Y </SB>)(Ti<SB>100-Z </SB>Mg<SB>Z </SB>)O<SB>3 </SB>}(ただし、A,B,X,YおよびZはモル%)で表され、A,B,X,Y,Zがそれぞれ0≦A≦100.8≦B≦80≦X≦1000≦Y≦700.1≦Z≦2の範囲にある主成分に、一般式がaLi<SB>2 </SB>O+bRO+cB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+(100-a-b-c)SiO<SB>2 </SB>(ただし、RはMg,Ca,SrおよびBaの中から選ばれる少なくとも1種類、a,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、それぞれ、0≦a<20,10≦b<55,0≦c<40である副成分を0.1〜30重量%含有した、非還元性誘電体磁器組成物。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-121209
  
• 特開昭59-227769