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J-GLOBAL ID：200903089068020367
カーボン薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051977
Publication number (International publication number)：1995258840
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 09, 1995
Summary：
【要約】【構成】不活性ガス雰囲気中で、DCバイアスを印可されたカーボンターゲット4をスパッタリングすることにより基板2上にカーボン薄膜を形成する方法において、不活性ガスがHeを含むガスであることを特徴とするカーボン薄膜形成方法。【効果】Vp-VfやC原子のイオン化率を増加させることができ、大面積基板に対して均一で耐摩耗性の良好なCイオン成膜をすることができる。
Claim (excerpt)：
不活性ガス雰囲気中で、DCバイアスを印可されたカーボンターゲットをスパッタリングすることにより基板上にカーボン薄膜を形成する方法において、不活性ガスがHeを含むガスであることを特徴とするカーボン薄膜形成方法。
IPC (4)：
C23C 14/34
, B01J 19/08
, C01B 31/02 101
, C23C 14/06
