記憶装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081724
Publication number (International publication number)：2004289029
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】メモリ素子と選択トランジスタとを用いたメモリセルで構成される相変化記憶装置において、130度以上で動作可能なように耐熱性を高めること。【解決手段】記録層にZn-Ge-TeのZnやCdなどの含有量が25原子%以上、Ge含有量が5原子%以上25原子%以下、Teの含有量が40原子%以上のものを用いる。【効果】車載などの高温になる可能性がある用途に使える記憶装置を実現することができる。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

GeまたはSbと、40原子%以上のTeと、20原子%以上50原子%以下の2b族、1b族、3aから7a族,および8族元素から選ばれた少なくとも一元素を含み、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する記録膜と、前記記録膜に電圧を印加するための電極とを有するメモリ素子を有することを特徴とする記憶装置。

IPC (3)：

H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01L45/00 A

F-Term (17)：

5F083FZ04 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA05 , 5F083KA11 , 5F083KA18 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

相変化材料を備える電子デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2005-502598 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-519794 Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
スイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-179722 Applicant：ローム株式会社

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