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J-GLOBAL ID：200903089068643704

記憶装置

Inventor： 寺尾 元康 ,  高浦 則克 ,  黒土 健三 ,  松岡 秀行 ,  山内 豪
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081724
Publication number (International publication number)：2004289029
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】メモリ素子と選択トランジスタとを用いたメモリセルで構成される相変化記憶装置において、130度以上で動作可能なように耐熱性を高めること。【解決手段】記録層にZn-Ge-TeのZnやCdなどの含有量が25原子%以上、Ge含有量が5原子%以上25原子%以下、Teの含有量が40原子%以上のものを用いる。【効果】車載などの高温になる可能性がある用途に使える記憶装置を実現することができる。【選択図】 図8

Claim (excerpt)：

GeまたはSbと、40原子%以上のTeと、20原子%以上50原子%以下の2b族、1b族、3aから7a族,および8族元素から選ばれた少なくとも一元素を含み、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する記録膜と、 前記記録膜に電圧を印加するための電極とを有するメモリ素子を有することを特徴とする記憶装置。

IPC (3)：

H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A

F-Term (17)：

5F083FZ04 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083KA18 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083PR22