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J-GLOBAL ID：200903089086913875

C4製造のためのTiWの選択的エッチング

Inventor： マダヴ・ダッタ ,  ラヴィンドラ・ヴァマン・シェノイ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995147732
Publication number (International publication number)：1996053781
Application date： Jun. 14, 1995
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 超小型電子回路チップの製造におけるチタン-タングステン合金の薄膜を除去するための化学エッチャントを提供する。【構成】 除去される合金は好ましくは10%Tiと90%Wからなり、C4はんだバンプを電着させるためのクロムと銅のシード層の下の基板上に層形成される。この応用例では、Ti-Wエッチャントはアルミニウム、クロム、銅、または鉛-スズはんだを攻撃せず、Ti-Wを速やかに溶解しなければならない。本発明では、EDTAおよび硫酸カリウムを添加した30重量%過酸化水素水を使用してこれを達成する。過酸化水素は40〜60°Cで速やかにTi-Wをエッチングする。EDTAはタングステンと錯体を形成して、Pb-SnはんだのWによるメッキを防止し、硫酸カリウムはPb-Snはんだ上に保護被覆を形成してこれを化学的攻撃から保護する。

Claim (excerpt)：

エッチングされてはならない金属の存在下でチタン-タングステン合金をエッチングするための化学エッチャントであって、30重量%過酸化水素水1〜2体積部と、水1リットルにつき15〜40グラムのEDTAを溶解した水1〜2体積部と、混合物1リットルにつき100〜200グラムの、混合物中で解離して上記保護された金属を保護被膜によって不動態化する塩との混合物を含む化学エッチャント。

IPC (2)：

C23F 1/44 ,  C23F 1/26