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J-GLOBAL ID：200903089088008312

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： 柴田 直樹 ,  小澤 隆弘 ,  冨田 一義 ,  加地 徹
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001171870
Publication number (International publication number)：2002368268
Application date： Jun. 07, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 各井戸層へのキャリヤ分配比の制御と、発光効率や耐久性の向上。【解決手段】 この様な多重量子障壁層の導入により、両側のp/n型半導体層の膜厚やアルミニウム(Al)組成比を小さくしても、キャリヤのオーバーフローが効果的に抑制され、発光効率と耐久性が向上する。多重量子障壁層を用いて任意或いは適当な相異なる発光波長を持つ2層以上の井戸層を隔てた場合、量子論的な作用原理に従って、キャリヤーの行き先が確率的に決定される。このことは、正孔に付いても同様である。したがって、予期されるキャリヤの運動量に応じて適当な反射率を示す適当な多重量子障壁層を導入すれば、発光波長の相異なる複数の井戸層を有する(よって、複数の発光ピークを有する)半導体発光素子において「各井戸層間における所望のキャリヤ配分比(発光強度比)の実現」が容易で、かつ、発光効率や耐久性の高い素子構造を具現することができる。

Claim (excerpt)：

III族窒化物系化合物より成る半導体層の積層により形成され、発光する層を含む多重層、p型半導体層、及びn型半導体層を有する発光素子において、発光する層を含む前記多重層は、III族窒化物系化合物半導体より成る量子障壁形成バリヤ層と III族窒化物系化合物半導体より成る量子障壁形成ウェル層とを交互に周期的に積層した多層構造を有する多重量子障壁層と、それぞれ互いに相異なる発光波長を有する複数の井戸層とを備え、前記複数の井戸層は、それぞれ互いに前記多重量子障壁層により隔てられていることを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA85 ,  5F041CB13 ,  5F041DA74 ,  5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052671   Applicant：株式会社東芝
• 白色LED
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-212381   Applicant：住友電気工業株式会社