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J-GLOBAL ID：200903089094166833

密着型イメージセンサ及びその製造方法

Inventor： 谷川 浩 ,  丸山 英樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995238091
Publication number (International publication number)：1997083729
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 受光センサ素子の継ぎ目部分での解像度の低下を防止した密着型イメージセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の密着型イメージセンサは、原稿を照射する光源と、原稿からの反射光を電気信号に変換する複数の受光センサ素子11と、原稿からの反射光を受光センサ素子11に導く複数の光導波路7をアレイ状に配列した光導波路アレイ6とを備え、光導波路アレイ6を受光センサ素子11と同数のグループに分割し、各グループ毎に原稿側の受光窓のピッチより受光センサ素子11側の受光窓11aのピッチを狭めて光導波路7をテーパー状に形成し、複数の受光センサ素子11の各素子間に空隙を設けるように構成した。

Claim (excerpt)：

原稿を照射する光源と、原稿からの反射光を電気信号に変換する複数の受光センサ素子と、原稿からの反射光を受光センサ素子に導く複数の光導波路をアレイ状に配列した光導波路アレイとを備えた密着型イメージセンサであって、光導波路アレイを受光センサ素子と同数のグループに分割し、各グループ毎に原稿側の受光窓のピッチより受光センサ素子側の受光窓のピッチを狭めて光導波路をテーパー状に形成し、複数の受光センサ素子の各素子間に空隙を設けるように構成したことを特徴とする密着型イメージセンサ。

IPC (6)：

H04N 1/028 ,  B29C 41/00 ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/13 ,  H01L 27/14 ,  B29K101:10

FI (5)：

H04N 1/028 Z ,  B29C 41/00 ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/12 M ,  H01L 27/14 D