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J-GLOBAL ID：200903089105928870

PINダイオードを含む複合半導体装置、この装置の製造方法及びこの装置を用いた高周波装置

Inventor： 宮辻 和郎 ,  田▲邊▼ 充 ,  牧岡 敏史 ,  岩永 順子 ,  上田 大助
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000147119
Publication number (International publication number)：2001068557
Application date： May. 18, 2000
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 PINダイオードと異なる種類の他の能動素子を半導体基板上に集積化したPINダイオードを含む複合半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板11上にn型半導体領域12とp型半導体領域13を設け、n型半導体領域12上にn型オーミック電極14を設け、p型半導体領域13上にp型オーミック電極15を設けている。n型半導体領域12とp型半導体領域13を相互に1μm離間させて配置しており、これによりPINダイオード16のp層-i層-n層という構造が形成される。また、半絶縁性GaAs基板11上にFET10を設けている。

Claim (excerpt)：

高抵抗半導体基板と、該高抵抗半導体基板上に形成され、n型半導体領域及びp型半導体領域を含むPINダイオードと、該高抵抗半導体基板上に形成され、該PINダイオードとは異なる種類の能動素子とを備え、該n型半導体領域及び該p型半導体領域の少なくとも一方は、イオン注入されたものであるPINダイオードを含む複合半導体装置。

IPC (12)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01P 1/15

FI (8)：

H01L 27/06 101 D ,  H01P 1/15 ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 A